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서울대 연구팀, 저전압 저항변화메모리 개발 성공
편집부 2016.05.25
(서울=포커스뉴스) 서울대학교 연구진이 낮은 전압과 저렴한 공정으로 차세대 메모리를 구현하는 데 성공했다.서울대 장호원 재료공학부 교수(사진) 연구팀은 유‧무기 복합 분자운동성 이온결정 소재인 메틸암모늄 납 요오드화물(CH3NH3PbI3)을 이용해 낮은 전압으로 구동하는 저항변화메모리(RRAM) 기술을 개발했다고 25일 ...

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