(서울=포커스뉴스) 서울대학교 연구진이 낮은 전압과 저렴한 공정으로 차세대 메모리를 구현하는 데 성공했다.
서울대 장호원 재료공학부 교수(사진) 연구팀은 유‧무기 복합 분자운동성 이온결정 소재인 메틸암모늄 납 요오드화물(CH3NH3PbI3)을 이용해 낮은 전압으로 구동하는 저항변화메모리(RRAM) 기술을 개발했다고 25일 밝혔다.
최근 고집적 메모리를 개발하기 위한 연구가 이어지고 있지만, 기존 메모리용 소재들은 구동 전압이 높아 전력소모가 많은데다 진공을 만드는 장비도 비싸고 공정도 복잡해 어려움이 많았다.
이에 장 교수 연구팀은 진공장비를 이용하지 않고 소재를 용액 형태로 합성하는 방법을 시도했다. 유‧무기 복합 분자운동성 이온결정 소재를 기반으로 하는 박막(薄膜)기술을 통해 균일하면서도 결함을 쉽게 제어할 수 있는 기술을 고안한 것이다.
이를 저항변화메모리에 적용한 결과, 연구팀은 기존보다 구동전압은 낮아지고 저장밀도는 높아지는 등 메모리 성능이 개선되는 것을 확인할 수 있었다.
장 교수는 "분자운동성 이온결정 소재를 기반으로 한 저항변화메모리가 차세대 메모리로 활용될 가능성을 확인하는 좋은 기회가 됐다"며 "향후 인공지능(AI) 기반 컴퓨팅에 필수적인 고밀도‧고용량 메모리 개발에도 힘쓸 것"이라고 계획을 밝혔다.
이번 연구 결과는 지난 5월18일 재료분야 학술지 '어드밴스드매테리얼즈(Advanced Materials)' 온라인에 게재됐다.장호원 교수. <사진제공=서울대>
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