(서울=포커스뉴스) 삼성전자가 세계 최초로 '10나노급 D램 시대'를 열었다.
삼성전자는 2월부터 세계 최소 크기의 10나노급(1나노 10억분의 1미터) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산했다고 5일 밝혔다.
삼성전자는 2014년 세계 최초로 20나노 4Gb DDR3 D램을 양산한 데 이어 이번 10나노급 8Gb DDR4 D램의 양산으로 다시 한 번 반도체 미세공정의 한계를 돌파했다.
이번 제품에는 '초고집적 설계 기술'과 '사중 포토 노광 기술', '초균일 유전막 형성 기술' 등 3가지 혁신 기술이 적용됐다.
삼성전자 관계자는 "차세대 극자외선(EUV) 노광장비의 도입 없이 10나노급 D램을 양산해 프리미엄 제품의 제조 경쟁력을 높일 수 있게 됐다"고 설명했다.
'초고집적 설계 기술'은 삼성전자가 독자적으로 개발한 차세대 반도체 설계 기술로 20나노 8Gb DDR4 D램보다 생산성을 30% 이상 높였다.
10나노급 8Gb DDR4 D램은 초고속·초절전 설계 기술을 적용해 기존 20나노 대비 동작속도가 30% 이상 빠른 3200Mbps를 구현할 수 있고, 동작 상태에 따라 소비전력을 10%~20% 절감할 수 있다.
특히 삼성전자는 미세공정의 한계를 극복하기 위해 낸드플래시 양산에 적용한 '사중 포토 노광 기술'을 업계 최초로 D램에도 구현, D램 핵심 공정 기술의 새로운 지평을 열었다.
사중 포토 노광기술(QPT)은 초고집적으로 셀을 만들기 위해 한 번의 포토공정으로 초미세 패턴을 4배 많이 형성하는 기술이다.
삼성전자는 올해 용량과 성능을 동시에 높인 10나노급 모바일 D램도 양산해 PC, 서버 시장에 이어 초고해상도 스마트폰 시장도 지속 선점할 계획이다.
전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 "10나노급 D램은 글로벌 IT 고객들에게 최고 효율의
시스템 투자 솔루션을 제공할 것"이라며 "향후 차세대 초고용량 초절전 모바일 D램 출시를 통해 글로벌 소비자의 사용 편리성을 대폭 향상하는데 기여해 나갈 것"이라고 말했다.<사진제공=삼성전자>
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