(서울=포커스뉴스) 삼성전자 김기남 반도체총괄 겸 시스템LSI사업부 사장이 10일(현지시간) 미국 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋'에서 '평생공로상'을 받았다. 이 상은 플래시 메모리 관련 기술의 개발과 시장 확대에 리더십을 보여준 개인에게 수여된다.

11일 삼성전자에 따르면 김기남 사장은 삼성전자가 낸드플래시 용량을 2002년 2Gb에서 2006년 32Gb로 매년 2배씩 늘리며 플래시 메모리 기술을 발전시킨 데 주도적인 역할을 한 공로로 이 상을 수상했다.

김 사장은 수상 소감을 통해 "2013년 8월 세계 최초로 1세대 24단 V낸드를 양산한데 이어 올해 말 64단 V낸드를 양산할 계획이며, 향후 1Tb(테라바이트) 낸드 플래시 양산이 현실이 될 것이며, 이는 곧 100단 이상의 V낸드를 양산 할 수 있을 것이라는 의미"라고 말했다.

V낸드는 평면(2차원) 위에 많은 회로를 넣는 대신 3차원 수직구조로 회로를 쌓아올려 집적도를 높인 플래시메모리 기술이다.

김 사장은 또"삼성전자는 2004년부터 전하를 부도체에 저장하는 CTF(Charge Trap Flash)기술 개발을 시작하고 2007년 수직 낸드 구조에 CTF 기술을 적용하는데 성공했다"며 "V낸드 기술은 10년 이상의 기간 동안 삼성전자 임직원들의 집념에 의해 가능하게 된 것"이라고 덧붙였다.

이날 삼성전자는 플래시 서밋 행사에서 4세대 V낸드 기반 신제품을 선보였다. 기존 3세대(48단) 제품 대비 적층 단수를 30% 높인 4세대(64단) V낸드는 데이터를 저장하는 3차원 셀(Cell)을 기존(48단)보다 1.3배 쌓아 올릴 수 있는 제품이다.

또 고용량 서버용 32TB SAS(서버와 스토리지에 사용되는 인터페이스) 솔리드스테이트드라이브(SSD)는 기존 HDD로 구성된 시스템을 이 제품으로 대체할 경우 시스템의 물리적인 공간을 약 40분의 1로 줄일 수 있다.

아울러 삼성전기와 고집적 패키지 기술(FO-PLP)을 공동 개발한 동전 크기의 초소형 '1TB BGA NVMe SSD'도 선보였다. NVMe는 비휘발성메모리 express의 약자다. 또 하이엔드용 Z-SSD도 선보였다.

향후 삼성전자는 V낸드 기술을 바탕으로 스토리지 사업 영역을 확대해 나간다는 계획이다.10일(현지시간) 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2016'에서 김기남(왼쪽 두번째) 삼성저자 반도체총괄 겸 시스템LSI사업부 사장이 상을 수여한 후 기념사진 촬영을 하고 있다.

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